 |  | 08.12.2008 |  |
05 декабря 2008 года, впервые после остановки производства на ОАО «Завод полупроводников» в 1998... |
 |
| 10.10.2008 | |
Кабинет Министров Украины 8 октября 2008 года утвердил Концепцию Государственной целевой научно-технической Программы... |
|
 
|
|
Монокристаллический кремний
| № п/п |
Параметр |
Выращивание по методу Чохральского |
Тип проводимости–Р
Легирующий элемент–бор |
Тип проводимости–N
Легирующий элемент–фосфор |
| Единица измерения |
Значение |
Единица измерения |
Значение |
| 1. |
Кристаллографическая ориентация слитка |
градус |
[ 100 ] ± (1÷3)
[ 111 ] ± (1÷3)
|
градус |
[ 100 ] ± (1÷3)
[ 111 ] ± (1÷3)
|
| 2. |
Удельное электрическое сопротивление, (У.Э.С.) |
ом*см |
0,5 - 14 |
ом*см |
0,3 - 15 |
| 3. |
Время жизни неосновных носителей заряда, (τ) |
мкс |
≥ (2,5 ÷ 24) |
мкс |
≥ (7,5 ÷ 30) |
| 4. |
Содержание оптически активного кислорода, (No) |
см-3 |
≤ 9*1017;
≤ 1*1018. |
см-3 |
≤ 9*1017;
≤ 1*1018. |
| 5. |
Содержание оптически активного углерода, (Nc) |
см-3 |
≤ 3*1016;
≤ 5*1016
≤ 1*1017. |
см-3 |
≤ 3*1016;
≤ 5*1016
≤ 1*1017. |
| 6. |
Плотность дислокаций, (Ng) |
см-2 |
≤ 10;
≤ 100. |
см-2 |
≤ 10;
≤ 100. |
| 7. |
Свирл-дефекты |
см-2 |
≤ 3*105 |
см-2 |
≤ 2*105 |
| 8. |
Диаметр калиброванного слитка |
мм |
(100 ÷ 165)
± (0,2 ÷2,5) |
мм |
(100 ÷ 150)
± (0,2 ÷2,5) |
| 9. |
Кристаллографическая ориентация сторон псевдоквадрата |
градус |
[ 001 ] ± (1÷3)
[ 010 ] ± (1÷3) |
- |
- |
| 10. |
Размер сторон псевдоквадрата |
мм |
125,0*125,0
± 0,5 |
- |
- |
| 11. |
Перпендикулярность сторон псевдоквадрата |
градус |
90 ± 0,5 |
- |
- |
|
Примечание:
Достижение вышеуказанных электрофизических параметров, а также их изменение,
зависит от качества исходного сырья и желаний заказчика.
Начало производства планируется на второй квартал 2010 года
|
Українська
